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元件参数资料
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参数目录33658
> BST51,115 TRANS NPN 60V 500MA SOT89
型号:
BST51,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS NPN 60V 500MA SOT89
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BST51,115 PDF
特色产品
NXP - I2C Interface
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大)
50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大
1.3W
频率 - 转换
200MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商设备封装
SOT-89-3
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-6828-1
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